8 月 7 日消息，据媒体报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士在韩国交易所披露重大投资计划，宣布将在韩国清州 M17 芯片厂投资 19.1 万亿韩元，并在龙仁半导体产业园投资 35.2 万亿韩元用于二期晶圆厂建设，两项合计投资规模超过 54 万亿韩元。标志着这家全球第二大存储芯片制造商正全面提速产能建设，以应对人工智能浪潮带来的存储芯片需求激增。
据披露，清州 M17 芯片厂的投资计划执行期限为 2031 年 4 月 30 日，旨在确保中长期产能以满足存储器市场需求。龙仁半导体产业园二期晶圆厂的建设则计划在 2031 年 10 月 31 日前完成。在此之前，SK 海力士已公布了更为宏大的长期规划 —— 计划投入约 1100 万亿韩元（约合 7150 亿美元），在龙仁、清州以及韩国西南部新半导体聚落建立完整的生产体系。
产品层面，SK 海力士的第六代高带宽内存 HBM4 已于 2026 年第二季度量产出货，公司计划下半年大幅扩充 HBM4 产能供给。HBM4E 样品也已于上半年交付。SK 海力士已与约 10 家行业大客户签订长期芯片供货协议（LTA）。据市场消息，SK 海力士 2026 年全年的 HBM 及全系列存储芯片产能已全部被客户抢订一空。
为支撑庞大的扩产计划，SK 海力士于 2026 年 7 月 10 日在美国纳斯达克成功上市，通过发行美国存托股份募资 265 亿美元，成为外国企业在美国规模最大的首次公开募股。募集资金将主要用于建设龙仁半导体集群一期晶圆厂、清州先进封装厂以及购买极紫外光刻设备等。
SK 海力士的激进扩张得益于强劲的业绩表现。2026 年第二季度，公司实现营业利润 60.54 万亿韩元（约合 420 亿美元），同比增长 557%，创下历史新高。上半年累计营收突破 100 万亿韩元，为该公司历史首次。公司预计 2026 全年资本支出将达到 40 万亿韩元区间高段（约 48 至 50 万亿韩元）。