7月8日消息，据英国《金融时报》援引知情人士消息报道，苹果公司已开始测试中国存储芯片厂商长鑫存储技术（CXMT）生产的DRAM内存芯片，计划将其用于在中国市场销售的设备。报道称，苹果尚未承诺将这些芯片用于商业量产，目前仍处于评估阶段。
报道指出，苹果正在美国科技企业中牵头游说华盛顿，争取允许更广泛地使用长鑫存储的产品。据此前报道，苹果一直在向美国政府申请采购长鑫存储DRAM芯片的许可。苹果还同时有意采购长江存储的NAND闪存产品。这些举措旨在强化苹果供应链的韧性，提升对存储半导体市场进一步变化的抵御能力。
报道称，苹果此次游说的背景是存储芯片价格的失控式上涨。由于AI数据中心的爆炸性需求，三星、SK海力士和美光等主要存储厂商已将大量产能转向高利润的HBM（高带宽内存），导致消费级DRAM和NAND Flash供应持续紧张、价格飙升。
据彭博社报道，严重的内存供应短缺已迫使苹果将MacBook、iMac、iPad等多款产品提价，部分Mac机型最高涨价1000美元。标准型DRAM合约价在2026年初飙升约55%至60%，迫使苹果罕见上调MacBook Air、iPad等产品售价，为近十年来最大规模硬件涨价行动。
然而，美国银行在最新研报中对苹果大规模采用长鑫存储DRAM的可能性泼了冷水，并列出了三大限制因素：
一是地缘政策约束。长鑫存储被列入美国国防部1260H名单，虽非出口禁令，但触及敏感供应链审查，美国对华半导体管制政策形成实质性硬性门槛。
二是技术指标差距。*苹果移动设备对LPDDR5X内存要求传输速率超过10Gbps、工作电压1.1V并搭载ECC纠错功能。长鑫存储现有LPDDR5X最高速率虽可达10.667Gbps，但受制于相对落后的制程工艺，芯片寄生电容与漏电流偏高，功耗与散热表现较难完全匹配旗舰iPhone的严苛规格。
三是专利诉讼风险。全球DRAM核心专利池由三星、SK海力士与美光长期垄断，若苹果大举采用长鑫产品，极易遭第三方提告侵权，增加供应链法律成本与不确定性。
综合上述阻碍，美银研判指出，即便苹果采用长鑫存储DRAM，初期也仅可能限于iPhone 18e等入门低端机型。鉴于低端iPhone在中国市场销量疲软，实际采购订单体量有限，难以形成具备产业意义的采购规模。
不过，美银与多数分析师均指出，苹果此举具有鲜明的商业战略意图。苹果可能会利用长鑫存储的DRAM作为筹码，在与三星、SK海力士和美光三大DRAM制造商谈判2026年下半年或2027年的合约价格时，增加自身的议价能力。
报道指出，长鑫存储已跻身全球第四大DRAM内存芯片生产商，仅次于三星电子、SK海力士和美光科技。
据Omdia数据，按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫存储全球市场份额已达7.67%。长鑫存储去年约占全球DRAM晶圆产能的11%，随着合肥、上海和北京新生产线陆续投产，这一比例预计将在2028年提升至15%
另外，报道还指出，长鑫存储目前处于满产状态，且难以满足中国本土企业的需求，这引发了其能否向苹果大规模供货的疑问。